长鑫科技近日透露了其下一代内存技术平台G6的预期指标。根据最新方案，该公司将继续利用DUV光刻工艺来制造G6代内存，预计将在2028年进行发布。这一代产品的芯片单元面积预计将从G5代的0.00128205平方微米进一步压缩至0.000896平方微米，缩减幅度达到30%。在缺乏EUV光刻机支持的情况下，长鑫正在通过深度优化现有的DUV工艺，来逼近该技术的物理极限。技术专家Frederick Chen在X平台上发布的数据预测显示，G6的单元面积缩减将依赖于对193纳米DUV浸没式光刻机的持续优化，并结合自对准四重图案化（SAQP）技术部分层级采用自对准双重图案化（SADP）工艺。

从工艺节点的指标来看，G6的字线（WL）间距将从G5的33.3纳米缩减至28纳米，位线（BL）间距将从38.5纳米降至32纳米，而有源区（AA）的间距将从23.9纳米减小至20纳米。同时，光刻胶方案也将得到提升，AA切割层将升级为193i LE4或X-SADP，位线接触层也将采用X-SADP选项。G6方案中首次引入的键合工艺被认为是最具关键意义的技术变量。根据预测数据，G6的M0层标定为"193i LELE bonded"，表明长鑫计划通过晶圆级混合键合方法，将DRAM存储阵列与外围逻辑电路解耦后再进行堆叠连接。

这一技术思路与长鑫在4F²架构上的战略高度一致。长鑫科技总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上明确表示，4F²架构的重要突破之一就是通过解耦DRAM与CMOS工艺，然后利用晶圆级混合键合实现高速互联，这标志着DRAM技术从二维缩放迈向三维集成的重要转折点。预计长鑫将在今年年底推出结合该技术的新一代DDR5 RDIMM产品。G6可能成为6F²内存芯片结构的最后一代产品，同时，长鑫已经提前布局3D内存技术，预计其3D DRAM堆叠层数可达到64层以上，推出的下一代G7产品可能会转向4F²结构或3D内存架构。